Pat

J-GLOBAL ID：200903065772635257

半導体装置とその製造方法

Inventor： 弓 削 省 三
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996076663
Publication number (International publication number)：1997270530
Application date： Mar. 29, 1996
Publication date： Oct. 14, 1997
Summary：

【要約】【課題】 半導体発光素子を構成する材料を選択することにより、エッチング工程におけるエッチング選択比を大きくし、デバイスエッチングプロセスの制御性を向上させ、得られる構造の再現性を高め、最終製品の歩留を向上する。【解決手段】 エッチングレートの低いn型AlS3GaS6Nクラッド層と、n型AlS3GaS6Nクラッド層3の上に順次積層される、エッチングレートの高いInS2AlS5N層4、P型InS4AlS7Nクラッド層5、p型InN層6による層構造を有し、n型AlS3GaS6Nクラッド層3はp型InN層6、P型InS4AlS7Nクラッド層5、InS2AlS5N層4を介して部分露出するようにエッチングされるが、これらの層をエッチングした場合に、InS2AlS5N層4、P型InS4AlS7Nクラッド層5、p型InN層6のエッチングレートと、n型AlS3GaS6Nクラッド層3のエッチングレートの違いにより、n型AlS3GaS6Nクラッド層3を部分露出エッチングさせ易い層構造している。

Claim (excerpt)：

基板の上に配置されるバッファ層と、前記バッファ層の上に積層され、エッチングレートの低い第1のクラッド層と、前記第1のクラッド層の上に積層され、エッチングレートの高い活性層と、前記活性層の上に積層される第2のクラッド層と、前記第2のクラッド層の上に積層され、且つ第1の電極が付設される、コンタクト層と、を備え、前記第1のクラッド層は、前記コンタクト層から前記第2のクラッド層、前記活性層を経て厚さの途中までエッチングされて、第2の電極か付設される露出部分が形成されている、ことを特徴とする半導体装置。