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J-GLOBAL ID：200903065786313775

プロトン伝導体及びその製造方法、並びにこれを用いた電気化学デバイス

Inventor： 日隈 弘一郎 ,  ピーツアック ビヨルン ,  ロスト コンスタンス ,  阿多 誠文
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 小池 晃 (外2名)
Gazette classification：再公表公報
Application number (International application number)：JP2000004864
Publication number (International publication number)：WO2001006519
Application date： Jul. 19, 2000
Publication date： Jan. 25, 2001
Summary：

【要約】炭素を主成分とする炭素質材料を母体とし、これにプロトン解離性の基が導入されてなるプロトン伝導体である。このプロトン伝導体においては、プロトン解離性の基を介してプロトンが移動する。また、このプロトン伝導体は、イオン伝導性が電子伝導性よりも大である。母体となる炭素質材料には、フラーレンやチューブ状炭素質(いわゆるカーボンナノチューブ)等の炭素クラスターや、ダイヤモンド構造を有する炭素質材料等が用いられる。

Claim (excerpt)：

炭素を主成分とする炭素質材料を母体とし、これにプロトン解離性の基が導入されていることを特徴とするプロトン伝導体。

IPC (3)：

H01B 1/06 ,  H01M 8/02 ,  H01M 8/10

FI (3)：

H01B 1/06 A ,  H01M 8/02 P ,  H01M 8/10