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J-GLOBAL ID：200903065800587220

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 梨本 泰信
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 煤孫 耕郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996055454
Publication number (International publication number)：1997232338
Application date： Feb. 19, 1996
Publication date： Sep. 05, 1997
Summary：

【要約】【課題】 発熱量の大きな高出力GaAsFETの出力電力の増大に伴う発熱を効率よく放熱し、高周波特性および信頼性の向上を得る。【解決手段】 GaAs基板にGaAsと熱膨張係数が近くかつGaAsより熱伝導率の高い高熱伝導性絶縁体5としてAIN板を貼り付け、GaAs基板を10μm以下に薄層化し、その後、FETをGaAsデバイス形成層2a上に形成する。更に、所望の厚さにAIN板を薄く加工した後、ペレッタイズして、パッケージ11等のヒートシンクにマウントする。

Claim (excerpt)：

表面にFET等の素子を有する薄層化された半導体の裏面に、該半導体と熱膨張係数がほぼ同じでかつ該半導体より熱伝導率が高く、薄層化された高熱伝導性絶縁体が共晶合金で接着された構造を特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 23/40

FI (3)：

H01L 29/80 G ,  H01L 23/40 F ,  H01L 29/80 B