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J-GLOBAL ID：200903065802107986

レーザイオンプレーティング装置

Inventor： 峰田 進栄 ,  小椋 茂樹 ,  安永 暢男 ,  滝川 浩
Applicant, Patent owner： 工業技術院長 ,  新日本製鐵株式会社
Agent (2)： 工業技術院電子技術総合研究所長 (外2名) ,  矢葺 知之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991341529
Publication number (International publication number)：1993171426
Application date： Dec. 24, 1991
Publication date： Jul. 09, 1993
Summary：

【要約】【目的】 均質かつ高密着性の高硬度セラミック化合物薄膜を長時間にわたり安定して形成するとともに、原料を効率良く基板に堆積させる装置を提供する。【構成】 真空容器内の反応ガス供給路内に負電圧を印加した蒸発用試料を設置し、反応ガス供給路のレーザ導入窓からレーザ光を導入し試料に照射することで低電流のアーク放電を起こし試料を蒸発させる。反応ガスはレーザ導入窓付近から導入し、試料蒸発方向に位置する反応ガス供給路の開口部から真空容器へ吹き出す。この構造により、試料蒸発点での反応ガス圧を高めることでガス活性化を促進するとともに基板付近の圧力を下げることで、良質の膜が形成される。また、蒸発方向と反応ガス流れ方向が一致するため、蒸気の拡散がなく効率良く基板に付着する。さらに、供給路内のガス流により蒸気のレーザ導入窓への飛来を防止し、長時間にわたる運転が可能となる。

Claim (excerpt)：

真空チェンバー内に反応ガスを導入しながら、負電圧を印加した蒸発用試料にレーザ光を集光照射して、前記蒸発用材料に対向して配置した試料基板に蒸発用試料と反応ガスからなる化合薄膜を形成するレーザイオンプレーティング装置において、前記真空チェンバー内に反応ガス供給路を設け、前記蒸発用試料を反応ガス供給路内のレーザ導入,集光部近傍に配置すると共に、前記蒸発用試料と試料基板との間にガス吹き出し口を設けたことを特徴とするレーザイオンプレーティング装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開平4-246167
  
• 特開平2-310363
  
• 特開平3-104862
  
• 特開平3-039464
  
• 特公昭53-018185