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J-GLOBAL ID：200903065803611939

半導体集積回路装置

Inventor： 藤井 貴子 ,  奥山 幸祐 ,  久保田 勝彦 ,  高橋 強 ,  井瀬 潔 ,  山田 浩士 ,  竹田 敏文
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 筒井 大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997276233
Publication number (International publication number)：1998214893
Application date： Oct. 08, 1997
Publication date： Aug. 11, 1998
Summary：

【要約】【課題】 配線層間を接続するための接続孔およびその近傍におけるEM耐性を向上させることのできる技術を提供することにある。【解決手段】 接続孔TH1 において電流の流れる方向に直交する方向の長さYが、電流の流れる方向に水平な方向の長さXよりも長く形成されている。これにより、接続孔TH1 部分において電流を分散させることができ、接続孔TH1 およびその近傍の配線部分において電流密度が局所的に高密度となるのを抑制することが可能な構造となっている。

Claim (excerpt)：

互いに平行に配置された上下2層の配線の重なり領域に配置され、前記上下2層の配線を電気的に接続する接続孔において、前記配線に流れる電流の方向に交差する面の面積が、前記配線に流れる電流の方向に沿う面の面積よりも大きくなるように、前記接続孔を設けたことを特徴とする半導体集積回路装置。