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J-GLOBAL ID：200903065807217968
薄膜太陽電池の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994044543
Publication number (International publication number)：1995254721
Application date： Mar. 16, 1994
Publication date： Oct. 03, 1995
Summary：
【要約】【目的】基板上の電極層の表面に簡単な方法で凹凸構造を形成して光を散乱させ、光電変換層に再入射させて変換効率の高い薄膜太陽電池を得る。【構成】高分子材料よりなる基板の表面をプラズマ処理すると凹凸構造ができ、その上に成膜した電極層の表面にも凹凸構造が生ずるので、簡単に電極層粗面化が可能になる。さらに、プラズマ処理の条件を変えることにより、凹凸構造の形状を制御することもできる。
Claim (excerpt)：
絶縁性基板上に基板より遠い側が透明電極層である二つの電極層にはさまれた光電変換層を有する薄膜太陽電池の製造方法において、基板表面を粗面化したのちその上に一つの電極層を形成することを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。
IPC (2)：
H01L 31/04
, H01L 21/3065
H01L 31/04 M
, H01L 21/302 N
