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J-GLOBAL ID：200903065808163810

酸化物強誘電薄膜の製造方法および酸化物強誘電材料

Inventor： 渡辺 俊二 ,  藤生 尚光
Applicant, Patent owner： 株式会社ニコン
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992200061
Publication number (International publication number)：1994048895
Application date： Jul. 28, 1992
Publication date： Feb. 22, 1994
Summary：

【要約】【構成】 本発明は、基板上に、緩衝層として〔0001〕方向に配向した酸化亜鉛薄膜を形成後、該緩衝層表面上に酸化物強誘電薄膜を〔111〕方向に配向させて成長させたことを特徴とする酸化物強誘電薄膜の製造方法である。【効果】 本発明では、著しく高い原子拡散抑制の能力を持つと同時に酸化物強誘電材料をエピタキシャル成長させるのに適した格子定数を持った酸化亜鉛薄膜を緩衝層として用いているので、シリコン基板上に直接酸化物強誘電薄膜を形成できるのみでなく、表面に酸化珪素膜を持つシリコン基板、ガリウム砒素基板などにも酸化物強誘電薄膜を形成できる。

Claim (excerpt)：

基板上に、緩衝層として〔0001〕方向に配向した酸化亜鉛薄膜を形成後、該緩衝層表面上に酸化物強誘電薄膜を〔111〕方向に配向させて成長させたことを特徴とする酸化物強誘電薄膜の製造方法。

IPC (4)：

C30B 29/22 ,  C30B 23/02 ,  C30B 25/18 ,  H01B 3/00