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J-GLOBAL ID：200903065813504766

III-V族合金半導体およびその製造方法

Inventor： 佐藤 理夫 ,  ワイヤス マークス
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 中村 純之助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992191985
Publication number (International publication number)：1994037355
Application date： Jul. 20, 1992
Publication date： Feb. 10, 1994
Summary：

【要約】【目的】 1種類の化合物合金半導体を用いて広範囲の波長領域において発光する新規なIII-V族合金半導体材料およびその製造方法を提供する。【構成】 III族元素としてGaを、V族元素としてAsとNを含有する新規なGaAsN系合金半導体を構成する。減圧気相反応容器内に基板を配設し、高周波プラズマにより活性化したN2または窒素化合物ガスに、少なくともアルシンガスと、有機ガリウム化合物ガスを基板上に導入してGaAsN系の合金半導体膜を形成する工程を含むIII-V族合金半導体膜の製造方法。【効果】 AsとNの組成を任意に調整することにより、任意のバンドギャップを持つGaAsN系の合金半導体が実現できる。また、GaAsNにおいて従来のGaAsの発光波長よりも長波長の発光素子が得られる。さらに、発光デバイスのみならず高速な電子デバイスも実現でき、光電子集積回路の基幹材料となり得る。

Claim (excerpt)：

元素の周期表III族元素とV族元素が結合したIII-V族合金半導体であって、III族構成元素としてGaを、V族構成元素として AsとNを同時に含むGaAsN系のIII-V族合金半導体からなることを特徴とするIII-V族合金半導体。

IPC (7)：

H01L 33/00 ,  C23C 14/40 ,  C30B 25/14 ,  H01L 27/15 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01S 3/18