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J-GLOBAL ID：200903065816568390

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 高松 恭彦
Applicant, Patent owner： 株式会社リコー
Agent (1)： 野口 繁雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992027294
Publication number (International publication number)：1993190489
Application date： Jan. 17, 1992
Publication date： Jul. 30, 1993
Summary：

【要約】【目的】 コンタクト抵抗の増加を防ぐ新しい構造を得る。【構成】 シリコン基板2上には層間絶縁膜6が形成され、層間絶縁膜6にはコンタクトホール7が形成され、層間絶縁膜6上にはシリコンを1%含有したアルミニウム配線8aが形成され、アルミニウム配線8aはコンタクトホール7を介してシリコン基板2とオーム接触をしている。層間絶縁膜6上にはシリコン粒12が存在し、シリコン粒12にはアルミニウム配線8a中の過剰シリコンが析出している。コンタクトホール内でのシリコンの析出が抑えられ、コンタクト抵抗の増加が抑えられる。

Claim (excerpt)：

拡散領域が形成された半導体基板上に層間絶縁膜が形成され、その層間絶縁膜にコンタクトホールが形成され、その層間絶縁膜上に形成されたメタル配線が前記コンタクトホールを経て半導体基板と接続されている半導体装置において、前記層間絶縁膜上にはシリコン粒が析出していることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/90