全体的プレーナ装置及びその方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：浅村皓 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995013038
Publication number (International publication number)：1996017812
Application date： Jan. 30, 1995
Publication date： Jan. 19, 1996
Summary：

【要約】【目的】半導体ウェーハに相互接続配線を形成可能な平担面を作るためにウェーハの表面を全体的及び局部的にプレーナ化する方法を提供する。【構成】半導体ウェーハの表面に形成されたフィーチャ間のスペースを誘電体材料で充填する。次にウェーハを変形可能な膜で被覆し、続いてウェーハに対して均一な圧力を加えて被覆された膜を変形させることによって、全体的及び局部的プレーナ化を達成する。

Claim (excerpt)：

フィーチャ(feature) が上に形成される半導体ウェーハの表面を全体的及び局部的にプレーナ化する方法であって、イ) 前記フィーチャ間の空間を中間層の誘電体材料で充填し、ロ) ウェーハを変形可能な膜で被覆し、そしてハ) 被覆されたウェーハに均一な圧力を加えて前記膜を変形させてプレーナ表面を形成する工程を有する前記の方法。

IPC (2)：

H01L 21/31 , H01L 21/316

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開昭62-045032
特開昭62-045045
特開平2-003230

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