Pat
J-GLOBAL ID：200903065823197080
メモリー素子
Inventor：
,
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995106270
Publication number (International publication number)：1996306014
Application date： Apr. 28, 1995
Publication date： Nov. 22, 1996
Summary：
【要約】【目的】 巨大磁気抵抗効果を用いたメモリー素子において素子部とワードラインより誘導される合成磁界を用いて記録・読みだし効率を向上させる。【構成】 ガラス、またはSi基板上に半硬質磁性膜21、非磁性金属膜22、軟磁性膜23保磁力の異なる人工格子膜をスパッタ、もしくは蒸着し、リソグラフィーを用いて素子部、センスライン、絶縁層25、ワードライン24を形成し、これを1ビットセルとする。情報記録時には素子部(センスライン)とワードライン24から誘導される磁界の合成磁界で半硬質磁性膜21の磁化を一方向に磁化させ記録し、読みだし時には素子部にセンス電流を流し、素子部から誘導される磁界ととワードライン24から誘導される磁界の合成磁界(軟磁性膜23だけが磁化回転するような合成磁界)を用い磁気抵抗効果が増減することにより読みだしを行う。
Claim (excerpt)：
第1磁性膜と、第2磁性膜と、該第1磁性膜と該第2磁性膜とを分離する非磁性金属膜と、センスラインとを含む素子部と、記録・読みだしを行うための磁界を該素子部に発生するワードラインと、を有するメモリー素子であって、該センスラインと該ワードラインが主に平行に位置するメモリー素子。
IPC (2)：
FI (2)：
Patent cited by the Patent：
Return to Previous Page
