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J-GLOBAL ID：200903065827443450

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 有隅 修
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999200901
Publication number (International publication number)：2001028426
Application date： Jul. 14, 1999
Publication date： Jan. 30, 2001
Summary：

【要約】【課題】PZTキャパシタのPZT膜(キャパシタ絶縁膜)の特性を改善すること。【解決手段】アモルファスPZT膜3を形成した後、従来法とは逆に、アモルファスPZT膜3の上面からアモルファスPZT膜3を結晶化し、PZT結晶膜5を形成する。このとき、アモルファスPZT膜3の上面に形成した酸素を過剰に含むアモルファスPZT膜4をシードに用いる。

Claim (excerpt)：

下地膜と、この下地膜上に形成され、ABO3 ペロブスカイト型酸化物誘電体からなり、膜厚方向と垂直な方向に中央部に界面を有する結晶性絶縁膜とを具備してなることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (2)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/10 651

F-Term (8)：

5F083JA01 ,  5F083JA13 ,  5F083JA15 ,  5F083JA31 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083PR33 ,  5F083PR34