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J-GLOBAL ID：200903065828826182
磁気抵抗効果素子
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
青山 葆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991340801
Publication number (International publication number)：1993175571
Application date： Dec. 24, 1991
Publication date： Jul. 13, 1993
Summary：
【要約】 (修正有)【構成】 基板4、該基板上に非磁性薄膜層6を介して積層された少なくとも2層の磁性薄膜層1,2を有して成り、非磁性薄膜層を介して隣合う磁性薄膜の保磁力が異なっている磁気抵抗効果素子において、少なくとも1層の磁性薄膜層とそれに隣接した非磁性薄膜層との界面に、隣合う非磁性薄膜の材料とは異なる金属の薄膜3を積層したことを特徴とする磁気抵抗効果素子。【効果】 抵抗変化率の高い磁気抵抗効果素子が得られる。
Claim (excerpt)：
基板、該基板上に非磁性薄膜層を介して積層された少なくとも2層の磁性薄膜層を有して成り、非磁性薄膜層を介して隣合う磁性薄膜の保磁力が異なっている磁気抵抗効果素子において、少なくとも1層の磁性薄膜層とそれに隣接した非磁性薄膜層との界面に、隣合う非磁性薄膜の材料とは異なる金属の薄膜を積層したことを特徴とする磁気抵抗効果素子。
Patent cited by the Patent：
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