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J-GLOBAL ID：200903065830296697

半導体集積回路装置の製造方法

Inventor： 津金 賢 ,  吉田 誠 ,  熊内 隆宏 ,  ▲高▼原 洋一
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 筒井 大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997152090
Publication number (International publication number)：1998340908
Application date： Jun. 10, 1997
Publication date： Dec. 22, 1998
Summary：

【要約】【課題】 タングステン層を含んでいる配線層の高性能化および高信頼度化ができる半導体集積回路装置の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板(基板)1の上に、タングステン層7を含んでいる配線層4を堆積する工程と、配線層4をフォトリソグラフィ技術とドライエッチングを用いた選択エッチング技術とを使用して、配線層4をパターン化する工程と、酢酸とアンモニアと水との混合液を使用して、タングステン層7の表面処理を行った後、アンモニアと過酸化水素と水との混合液を使用して、半導体基板1などの上に形成されているタングステン合金物などからなる異物を取り除くための洗浄処理を行う工程とを有するものである。

Claim (excerpt)：

半導体素子が形成されている基板の上に、タングステン層を含んでいる配線層を堆積する工程と、フォトリソグラフィ技術とドライエッチングを用いた選択エッチング技術とを使用して、前記配線層をパターン化する工程と、酢酸とアンモニアと水との混合液を使用して、前記タングステン層の表面処理を行った後、アンモニアと過酸化水素と水との混合液を使用して、前記基板の上に形成されているタングステン合金物などからなる異物を取り除くための洗浄処理を行う工程とを有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/3213 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/3205

FI (5)：

H01L 21/88 D ,  H01L 21/28 F ,  H01L 21/304 341 L ,  H01L 21/306 F ,  H01L 21/88 M