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J-GLOBAL ID:200903065830906380

誘電体磁器の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 鴨田 朝雄 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992040526
Publication number (International publication number):1993213662
Application date: Jan. 31, 1992
Publication date: Aug. 24, 1993
Summary:
【要約】【目的】 本発明は、マイクロ波やミリ波の信号回路に要求される高いQ値と高い誘電率とをあわせ持つ誘電体磁器を製造する方法の提供を目的とする。【構成】 式1で表される組成比となるように原料を混合し、焼成し、得た焼成物を粉砕して成形し、成形体を得、該成形体を1520〜1650°Cで1時間未満加熱焼結処理して誘電体磁器を製造する。【式1】Ba(ZnX CoY Ni1-X-Y )1/3 (TaZ Nb1-Z )2/3 O3
Claim (excerpt):
所望の原料を式1で表される組成比となるように混合し、焼成して、得た焼成物を粉砕した後、成形して得た成形体を加熱焼結処理して誘電体磁器を製造する方法において、上記成形体を1520〜1650°Cで1時間未満加熱焼結処理することを特徴とする誘電体磁器の製造方法。【式1】Ba(ZnX CoY Ni1-X-Y )1/3 (TaZ Nb1-Z )2/3 O3
IPC (4):
C04B 35/00 ,  C01G 53/00 ,  H01B 3/00 ,  H01B 3/12 312

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