Pat

J-GLOBAL ID：200903065860596539

残留塩素センサ及びその製造方法

Inventor： 加藤 純子 ,  石川 省吾 ,  成田 望
Applicant, Patent owner： エフ・ディ-・ケイ株式会社
Agent (1)： 茂見 穰
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001224032
Publication number (International publication number)：2002181779
Application date： Jul. 25, 2001
Publication date： Jun. 26, 2002
Summary：

【要約】【課題】 外部の影響を受け難く、特性のばらつきが小さく高性能化でき、量産化が可能であり、しかも小型で攪拌機構を必要とせず手軽に残留塩素濃度を測定できるようにする。【解決手段】 絶縁基板30上に形成した一対の電極と、各電極にリード部36で接続された外部端子用のパッド38と、前記一対の電極とそれらの間を結ぶように配置した電解質含有体44と、前記パッド以外の部分を覆うように設けたガス透過膜46を具備している。前記一対の電極のうちカソード32は金電極、アノード34は銀電極からなり、電解質pHが酸性側に設定されている。電解質含有体は、例えばポリビニルピロリドンと、塩化ナトリウム又は塩化カリウムと、緩衝剤とからなるスクリーン印刷膜であり、緩衝剤はホウ酸塩、酢酸塩、フタル酸塩、クエン酸塩、リン酸塩のいずれか一種以上とする。

Claim (excerpt)：

絶縁基板上に形成した一対の電極と、各電極にリード部で接続された外部端子用のパッドと、前記一対の電極とそれらの間を結ぶように配置した電解質含有体と、前記パッド以外の部分を覆うように設けたガス透過膜を具備し、前記一対の電極のうちカソードは金電極、アノードは銀電極からなり、電解質pHが酸性側に設定されていることを特徴とする残留塩素センサ。

IPC (3)：

G01N 27/416 ,  G01N 27/30 ,  G01N 27/404

FI (3)：

G01N 27/30 B ,  G01N 27/46 316 Z ,  G01N 27/30 341 B