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J-GLOBAL ID：200903065864124194
半導体装置の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992046508
Publication number (International publication number)：1993259154
Application date： Mar. 04, 1992
Publication date： Oct. 08, 1993
Summary：
【要約】【目的】半導体基板上に設けた多結晶シリコン膜の表面に不純物含有量の少ない酸化シリコン膜を下地シリコン膜の膜質に影響されずに膜厚均一性良く形成する。【構成】CVD法により堆積され不純物拡散およびパターニングされた多結晶シリコン膜4の表面に液相成長法により酸化シリコン膜6を成膜し、不活性雰囲気中でアニールする。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に多結晶シリコン膜を形成する工程と、前記多結晶シリコン膜の表面に液相成長法により酸化シリコン膜を形成する工程と、前記酸化シリコン膜を不活性ガス雰囲気中でアニールする工程とを含む事を特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4)：
H01L 21/316
, H01L 29/62
, H01L 29/788
, H01L 29/792
