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J-GLOBAL ID：200903065866974500

半導体集積回路用絶縁膜、絶縁膜の製造方法、電荷蓄積素子、不揮発性メモリ素子及び絶縁ゲート型トランジスタ

Inventor： 谷奥 正巳
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 高田 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993332244
Publication number (International publication number)：1995193147
Application date： Dec. 27, 1993
Publication date： Jul. 28, 1995
Summary：

【要約】【目的】 絶縁性に優れた絶縁膜を用いて半導体集積回路の特性を向上させる。【構成】 電荷蓄積素子において、導体1,5の間に、SiO2 絶縁膜2,4及びSi3 N4 絶縁膜からなる誘電体層を形成する。SiO2 絶縁膜2,4及びSi3 N4 絶縁膜にアルミニウムを拡散して、その境界領域にサイアロン層を形成する。【効果】 サイアロン層の持つ絶縁特性によって電荷蓄積素子の誘電体膜厚を薄くし、またサイアロンの誘電率が高いことから電荷蓄積素子の容量を向上できる。

Claim (excerpt)：

半導体集積回路に用いられる半導体集積回路用絶縁膜において、酸化シリコンを主体とする層と、前記酸化シリコンを主体とする層に接して設けられた窒化シリコンを主体とする層とを備え、前記酸化シリコンを主体とする層と前記窒化シリコンを主体とする層とは、少なくともその境界領域にサイアロンが形成されていることを特徴とする、半導体集積回路用絶縁膜。

IPC (9)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 21/318 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/108 ,  H01L 29/78

FI (4)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 325 J ,  H01L 29/78 301 G