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J-GLOBAL ID：200903065869942774

高分子電解質

Inventor：
小林 幸哉

About 小林 幸哉

, 
清家 英雄

About 清家 英雄


Applicant, Patent owner：
三洋化成工業株式会社

About 三洋化成工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002376625
Publication number (International publication number)：2004006232
Application date： Dec. 26, 2002
Publication date： Jan. 08, 2004
Summary：
【課題】従来の高分子電解質はイオン伝導度が低いため、取り出し電流が小さいという問題を有していた。また、0°C以下になると、一般にイオン伝導性が極端に低下するため、低温での使用に限界があった。本発明はイオン伝導度特性に優れた高分子電解質を提供する。【解決手段】分子内にアニオン基を有する高分子化合物(A)と一般式(1)で示されるアミジニウムカチオン(B)を必須構成単位とする高分子化合物(T)からなることを特徴とする高分子電解質を使用する。【選択図】 なし
Claim (excerpt)：
分子内にアニオン基を有する高分子化合物(A)と一般式(1)で示されるアミジニウムカチオン(B)を必須構成単位とする高分子化合物(T)からなることを特徴とする高分子電解質。
IPC (6)：
H01B1/06 ,  C08K5/3442 ,  C08L57/00 ,  C08L101/02 ,  H01G9/035 ,  H01G9/038
FI (6)：
H01B1/06 A ,  C08K5/3442 ,  C08L57/00 ,  C08L101/02 ,  H01G9/02 311 ,  H01G9/00 301D
F-Term (67)：
4J002BB201 ,  4J002BC001 ,  4J002BC011 ,  4J002BC021 ,  4J002BC081 ,  4J002BC101 ,  4J002BC111 ,  4J002BC121 ,  4J002BD031 ,  4J002BD101 ,  4J002BD111 ,  4J002BD131 ,  4J002BD141 ,  4J002BD151 ,  4J002BE011 ,  4J002BE041 ,  4J002BE051 ,  4J002BF011 ,  4J002BF021 ,  4J002BG011 ,  4J002BG041 ,  4J002BG051 ,  4J002BG061 ,  4J002BG071 ,  4J002BG101 ,  4J002BG131 ,  4J002BH021 ,  4J002BJ001 ,  4J002BK001 ,  4J002BN001 ,  4J002BP001 ,  4J002BQ001 ,  4J002CC041 ,  4J002CC121 ,  4J002CC161 ,  4J002CC181 ,  4J002CD191 ,  4J002CF031 ,  4J002CF041 ,  4J002CF051 ,  4J002CF061 ,  4J002CF071 ,  4J002CH021 ,  4J002CH041 ,  4J002CK031 ,  4J002CK041 ,  4J002CK051 ,  4J002CL011 ,  4J002CL031 ,  4J002CL081 ,  4J002CN011 ,  4J002ER006 ,  4J002ES006 ,  4J002ET006 ,  4J002EU116 ,  4J002EU136 ,  4J002FD110 ,  4J002GQ02 ,  4J002HA05 ,  5G301CA30 ,  5G301CD01 ,  5H029AJ06 ,  5H029AM07 ,  5H029AM16 ,  5H029HJ02 ,  5H029HJ11 ,  5H029HJ20
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
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