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J-GLOBAL ID：200903065873528176

半導体発光装置

Inventor： 大歳 創 ,  右田 雅人 ,  高井 厚志
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992244497
Publication number (International publication number)：1994097598
Application date： Sep. 14, 1992
Publication date： Apr. 08, 1994
Summary：

【要約】【目的】室温連続発振が可能な緑色や青色の光を発する半導体レーザを提供する。【構成】例えば、p-GaAsとp-ZnSeの間に、GaAsとZnSeで構成される超格子を導入する。あるいは、p-GaAsとp-ZnSeの間に、Iny(Ga1-xAlx)1-yP(0≦x≦1,0≦y≦1)の中間層を導入する。【効果】本発明によれば、直列抵抗を大幅に低減できるので、緑色もしくは青色の光を発する半導体レーザの室温連続発振が可能になる。これにより高密度光ディスク用光源,緑色や青色のLEDの代替光源,高感度レーザプリンタ用光源,ディスプレイ用光源などに適用できる半導体レーザ装置が提供できる。

Claim (excerpt)：

少なくとも、p型伝導型のIII -V族化合物半導体1とp型伝導型のII-VI族化合物半導体2とから成り、上記半導体1がp型電極と接触した構造において、実効的な禁制帯幅が上記半導体1と上記半導体2の間で徐々に変化するように、両者の間に超格子を設けたことを特徴とする半導体発光装置。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00