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J-GLOBAL ID：200903065887373310

高周波数の線形用途及びスイッチング用途のためのMOSFET

Inventor： ジャセック・コレック ,  アナップ・バラ ,  ポール・キム
Applicant, Patent owner： シリコニックス・インコーポレイテッド
Agent (1)： 大島 陽一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001015344
Publication number (International publication number)：2001244476
Application date： Jan. 24, 2001
Publication date： Sep. 07, 2001
Summary：

【要約】【課題】 線形増幅に対してより良好な最大電流及び相互コンダクタンスを有し、高周波数スイッチングに対してより低いオン抵抗とゲート電荷との積を有する低コストのMOSFETを提供する。【解決手段】 MOSFETを、酸化物の中間層及び基板の層上に重なる比較的薄い活性層を有するSOI(silicon on insulator)素子として製造する。MOSFETは横型デバイスであり、活性層の表面から層を貫通して基板中に延在している導電性プラグによって、素子の裏側からソースに対して電気的接触が確立される。高周波数での性能向上のために、MOSFETは活性層上に形成されたシリコン・ゲルマニウム多層構造体を含み、そのポリシリコンゲートは上に重なるシリコン層を含み得る。ゲート酸化物はゲートのドレイン端部ではより厚く形成され、この領域で生じるピーク電場から保護される。

Claim (excerpt)：

MOSFETであって、活性半導体層、絶縁性の層、及び第1の導電型の半導体基板を含むサンドイッチ構造部であって、前記絶縁性の層が前記活性層と基板との間に配置されている、サンドイッチ構造部と、第2の導電型のボディ領域並びに第1の導電型のソース領域及びドレイン領域を含む前記活性層であって、前記ボディ領域のチャネル領域が前記ソース領域とドレイン領域との間に配置されている、前記活性層と、ゲート絶縁層によって前記チャネル領域から離隔された前記チャネル領域の上に重なるゲート部と、前記活性層の表面から前記活性層及び前記絶縁性の層を貫通して前記基板中に延在する導電性材料で充填されたトレンチ部であって、該導電性材料が前記ソース領域及び前記基板と電気的に接触状態にある、トレンチ部とを含むことを特徴とするMOSFET。

IPC (6)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/768 ,  H01L 29/43 ,  H01L 21/336

FI (8)：

H01L 21/28 L ,  H01L 29/78 616 S ,  H01L 21/88 J ,  H01L 21/90 D ,  H01L 29/62 G ,  H01L 29/78 616 A ,  H01L 29/78 617 S ,  H01L 29/78 618 E