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J-GLOBAL ID:200903065888191062

太陽電池

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 鳥井 清
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998156608
Publication number (International publication number):1999312817
Application date: Apr. 28, 1998
Publication date: Nov. 09, 1999
Summary:
【要約】 (修正有)【課題】 Na成分の拡散によって蒸着により薄膜形成される光吸収層の結晶成長を促すように基板にNa含有量の多いSLGなどの低融点材料によるものを用いても、その薄膜形成時に基板が熱応力によって反らないようにする。【解決手段】 基板1上に金属の電極層2を介して光吸収層3としてのCIS系またはCIGS系の薄膜を形成するようにした太陽電池にあって、その基板をNa含有の第1の基板11と高融点材料からなる第2の基板12との結合体として、その第1の基板上に電極層2を介して光吸収層3の薄膜を蒸着によって形成させるようにする。
Claim (excerpt):
基板上に電極層を介して光吸収層としてのCISまたはCIGS系の薄膜を形成するようにした太陽電池において、その基板がナトリウム含有の第1の基板と高融点材料からなる第2の基板との結合体からなり、その第1の基板上に電極層を介して光吸収層を形成するようにしたことを特徴とする太陽電池。

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