疎水性シリカゲルを中性条件下で製造する方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：浅村皓 (外3名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1998536845
Publication number (International publication number)：2001516323
Application date： Feb. 18, 1998
Publication date： Sep. 25, 2001
Summary：

【要約】本発明は、疎水性のシリカゲルおよび中性条件下でのそれら疎水性シリカゲルの製造法である。この方法は2つの工程を含み、その第一工程ではシリカヒドロゾルのpHが、シリカヒドロゲルの形成を促進するために塩基でpH3〜7の範囲内に調整される。第二工程では、そのシリカヒドロゲルが、その疎水化を行うために触媒量の強酸の存在下で有機珪素化合物と接触せしめられる。1つの好ましい方法においては、第三工程でその疎水性シリカゲルが疎水性シリカヒドロゲルを疎水性シリカ有機ゲルに転化させるべく十分な量の水不混和性の有機溶媒と接触せしめられる。

Claim (excerpt)：

次の: (A)SiO2を1ミリリットル当たり0.02〜0.5g含んで成るシリカヒドロゾルのpHを、シリカヒドロゲルの形成を促進するために10〜250°Cの範囲内の温度において塩基でpH3〜7の範囲内に調整し、そして (B)該シリカヒドロゲルを(1)触媒量の強酸および(2)式R2aHbSiX4-a-bで表される有機シラン類および式R2nSiO(4-n)/2で表される有機シロキサン類から選ばれる有機珪素化合物と混合して、表面積が乾燥状態で測定して100〜850m2/gの範囲内にある疎水性シリカヒドロゲルを形成する工程を含んで成る疎水性シリカゲルの製造法:ただし上記の式において、各R2は、独立に、1〜12個の炭素原子を含む炭化水素基および1〜12個の炭素原子を含む有機官能性炭化水素基から選ばれ、各Xは、独立に、ハロゲンおよび1〜12個の炭素原子を含むアルコキシ基から選ばれ、a=0、1、2または3であり、b=0または1であり、b=1であるときa+b=2または3であるという条件でa+b=1、2または3であり、nは2〜3の整数である。

IPC (3)：

C01B 33/159 , C09C 1/28 , C09C 3/12

FI (3)：

C01B 33/159 , C09C 1/28 , C09C 3/12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

キセロゲル、その製法および用途
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-309101 Applicant：ヘキスト・アクチェンゲゼルシャフト

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