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J-GLOBAL ID：200903065903550244

半導体装置の製造方法と製造装置

Inventor： 木村 雄大 ,  磯崎 誠也 ,  橋本 克正
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998308432
Publication number (International publication number)：2000138255
Application date： Oct. 29, 1998
Publication date： May. 16, 2000
Summary：

【要約】【課題】 有機不純物の影響を受けずフリップチップ接続時の加熱温度を低くする。【解決手段】 本発明による半導体装置の製造方法及び装置は、半導体チップの接続組立時の加熱により、電気的性能の劣化を低減するものである。半導体チップのバンプと基板をマウント接続する際、基板の接続するパッド表面あるいは半導体チップのバンプ表面を清浄ことにより、接続温度を200°C〜300°C以下で出来る。また、基板のパッド表面の活性化処理したものを維持するために、製造装置の中にプラズマ処理部を入れ、製造装置内を不活性ガスで充填することにより、プラズマ処理部で清浄されたパッド表面を大気中にさらして再汚染することなく、マウント接続が出来る。

Claim (excerpt)：

半導体チップと基板とをフリップチップ接続させた構造を有する半導体装置の製造方法において、接続前に前記基板の接続パッド上の有機系不純物をドライプロセスによるクリーニング処理によって除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60 ,  H01L 21/3065

FI (3)：

H01L 21/60 311 Q ,  H01L 21/302 N ,  H01L 21/92 604 Z

F-Term (15)：

5F004AA13 ,  5F004AA14 ,  5F004BA20 ,  5F004BB02 ,  5F004DA23 ,  5F004DB08 ,  5F004EB02 ,  5F004FA04 ,  5F044KK03 ,  5F044KK04 ,  5F044KK11 ,  5F044LL01 ,  5F044LL04 ,  5F044QQ03 ,  5F044QQ04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開平3-171643