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J-GLOBAL ID：200903065904947741

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 北島 信夫 ,  森下 正和
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 山下 穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991221175
Publication number (International publication number)：1993048095
Application date： Aug. 07, 1991
Publication date： Feb. 26, 1993
Summary：

【要約】【目的】 結晶欠陥の多少により特性が左右されず、集積度の高い半導体装置を実現する。【構成】 絶縁基体上に結晶の成長起点を有し、選択的に結晶成長させた半導体基体に作製した半導体装置において、前記半導体装置の自由キャリアを、前記成長起点近傍を除き、且つ、前記結晶成長方向に沿って走行させることを特徴とした半導体装置であり、前記半導体装置が、少なくともソース、ドレイン、ゲート、チャネル部を有する絶縁ゲート型トランジスタであって、前記ゲート領域が前記成長起点をとり囲む様に配置されたことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

絶縁基体上に結晶の成長起点を有し、選択的に結晶成長させた半導体基体に作製した半導体装置において、前記半導体装置の自由キャリアを、前記成長起点近傍を除き、且つ、前記結晶成長方向に沿って走行させることを特徴とした半導体装置。

IPC (4)：

H01L 29/784 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 27/12