Pat
J-GLOBAL ID:200903065906601672

半導体基板の分割方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992092773
Publication number (International publication number):1993285936
Application date: Apr. 13, 1992
Publication date: Nov. 02, 1993
Summary:
【要約】【目的】 チッピングやクラックを生じることなく、また、素子特性に悪影響を与えることがなく、しかも、切断面の状態が良好な半導体基板の分割方法を提供することを目的とする。【構成】 半導体基板21は(100)面を主表面とする閃亜鉛鉱結晶構造を有する。この半導体基板21の表面から、OFと平行な方向にダイヤモンドツールにより罫引きが行われ、スクライブ溝を形成する。また、半導体基板21の裏面から、異方性エッチングによりOFと垂直な方向にウエットエッチングして分離溝を形成する。最後に、ローラ加圧によって劈開分離する。
Claim (excerpt):
(100)面を主表面とする閃亜鉛鉱結晶構造を有する半導体基板を複数個の小片に分割する半導体基板の分割方法において、前記半導体基板の一方の面から、異方性エッチングにより断面が順メサ形状になる方向にエッチングして分離溝を形成する工程と、前記半導体基板の他方の面から、前記方向と直交する方向に罫引き、曲げ応力を加えてこの罫引き方向に沿って劈開分離する工程とを含むことを特徴とする半導体基板の分割方法。
IPC (2):
B28D 5/00 ,  H01L 21/78

Return to Previous Page