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J-GLOBAL ID：200903065911014475
半導体装置の製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
杉村 暁秀 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991233211
Publication number (International publication number)：1993070119
Application date： Sep. 12, 1991
Publication date： Mar. 23, 1993
Summary：
【要約】【目的】 半導体装置のアルミニウムを損傷する水を放出したり吸湿性の少ない層間絶縁膜またはパッシベーション膜を形成する方法を提供しようとするものである。【構成】 一般式が、【化1】で示される環状または鎖状のポリシロキサン化合物を原料とし、シリコン基板の上にスピンコートした後、酸素を含む窒素雰囲気中で熱硬化するかまたは熱分解を行って吸湿性がなく、平坦性が良く、半導体装置の層間絶縁膜またはパッシベーション膜として有効に使用することができるSiO2膜を形成する。
Claim (excerpt)：
多層配線を有する半導体装置を製造するに当たり、一般式が【化1】で表される鎖状または環状のポリシロキサン化合物を原料とし、これを熱硬化または熱分解して酸化シリコンより成る層間絶縁膜またはパッシベーション膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3)：
C01B 33/12
, H01L 21/316
, H01L 21/90
