半導体装置の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：船橋國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996162961
Publication number (International publication number)：1998012744
Application date： Jun. 24, 1996
Publication date： Jan. 16, 1998
Summary：

【要約】【課題】 2層ポリシリコンのポリサイド構造のデュアルゲートCMOSでは、上層シリコン層が結晶化によっても大粒径化されないため、金属シリサイド層を介した不純物相互拡散によるVth変動によってデバイス特性が低下していた。【解決手段】シリコン基板11上に第1シリコン層16を形成し、その第1シリコン層16上に非晶質シリコンからなる第2シリコン層18を形成した後、第2シリコン層18を結晶化し、さらにその第2シリコン層18上に金属シリサイドもしくは金属からなる導電層22を形成する工程を備えた半導体装置の製造方法において、第1シリコン層16を形成した後で第2シリコン層18を形成する前に、第1シリコン層16の表面に、電子がダイレクトトンネリングによって導通する膜厚の範囲内でかつ第2シリコン層18を結晶化する際に第1シリコン層16の結晶性の引き継ぎを断ち切る膜厚を有する層間膜17を形成するという製造方法である。

Claim (excerpt)：

基板上に第1シリコン層を形成する工程と、前記第1シリコン層上に非晶質シリコンからなる第2シリコン層を形成する工程と、前記第2シリコン層を結晶化する工程と、前記結晶化した第2シリコン層上に金属シリサイドもしくは金属からなる導電層を形成する工程とを備えた半導体装置の製造方法において、前記第1シリコン層を形成した後で前記第2シリコン層を形成する前に、該第1シリコン層の表面に、第1,第2シリコン層中の電子がダイレクトトンネリングによって電気的に導通する膜厚の範囲内でかつ前記第2シリコン層を結晶化する際に前記第1シリコン層の結晶性の引き継ぎを断ち切る膜厚を有する層間膜を形成する工程を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6)：

H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 21/28 301 , H01L 21/316 , H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (5)：

H01L 27/08 321 D , H01L 21/28 301 D , H01L 21/316 U , H01L 29/78 301 P , H01L 29/78 301 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-158660 Applicant：日本電信電話株式会社
特開平1-251757
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-249197 Applicant：株式会社日立製作所, 日立北海セミコンダクタ株式会社

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