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J-GLOBAL ID:200903065917398038

高分子光導波路

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 中本 宏 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997175138
Publication number (International publication number):1999006930
Application date: Jun. 17, 1997
Publication date: Jan. 12, 1999
Summary:
【要約】【課題】 透明性・耐熱性を満足した上で、加工性と光学等方性をも同時に満足する高分子光導波路を提供する。【解決手段】 一般式(化1):【化1】〔式中Aは不斉スピロビインダン環含有基、又はトリフルオロメチル置換フェニレンジオキシ環含有基、Rは通常のベンゼン環又はナフタレン環含有基を示す〕の構造単位を必須成分とするポリイミドを用いるシングル又はマルチモードの高分子光導波路。
Claim (excerpt):
下記一般式(化1)で表される繰り返し構造単位を必須成分とするポリイミドを光学コア及び/あるいは光学クラッドとして用いることを特徴とするシングルモードあるいはマルチモードの高分子光導波路。【化1】〔式中、Aは一般式(化2)又は一般式(化3)で表される2価の基:【化2】【化3】{式中、Xは炭素数1〜3のアルキル基、炭素数1〜3のアルコキシ基、フェニル基、フェノキシ基、ベンジル基、ナフチル基、あるいは、一般式(A)又は(B)からなる式(化4)で表される1価の基:【化4】(式中、Zはハロゲン、炭素数1〜3のアルキル基、炭素数1〜3のアルコキシ基、あるいは水素の一部又は全部がハロゲンで置換されたハロゲン化アルキル基又はハロゲン化アルコキシ基を示し、Zは同種でも異種でもよく、pは1〜5の整数である)を示し、Xは同種でも異種でもよく、m及びnは0〜4の整数であり、k及びiは0〜3の整数を示す}を示し、Rは一般式(a)、(b)又は(c)からなる式(化5)で表される4価の基:【化5】式中、Wはハロゲン、炭素数1〜3のアルキル基、炭素数1〜3のアルコキシ基、あるいは水素の一部又は全部がハロゲンで置換されたハロゲン化アルキル基又はハロゲン化アルコキシ基を示し、Wは同種でも異種でもよく、sは0〜2の整数であり、qは0〜3の整数であり、Vは直接結合、-CO-、-S-、-O-、-SO2 -、-CH2 -、-C(CH3 )2 -、-C(CF3 )2 -、あるいは、一般式(d)又は(e)からなる式(化6)で表される2価の基を示す:【化6】(式中、Gはハロゲン、炭素数1〜3のアルキル基、炭素数1〜3のアルコキシ基、あるいは水素の一部又は全部がハロゲンで置換されたハロゲン化アルキル基又はハロゲン化アルコキシ基を示し、Gは同種でも異種でもよく、rは0〜4の整数であり、Lは直接結合、-CO-、-S-又は-O-で表される2価の基を示し、Zは直接結合、-CO-、-S-、-O-、-SO2 -、-CH2 -、-C(CH3 )2 -又は-C(CF3 )2 -で表される2価の基を示す)を示す〕
IPC (3):
G02B 6/12 ,  C08L 79/08 ,  G02B 1/04
FI (3):
G02B 6/12 N ,  C08L 79/08 Z ,  G02B 1/04
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
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