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J-GLOBAL ID：200903065920708846

炭化ケイ素が被覆された半導体熱処理用部材の洗浄方法

Inventor： 宮崎 晃 ,  目黒 和教 ,  北澤 厚男 ,  塩谷 豊
Applicant, Patent owner： 東芝セラミックス株式会社
Agent (1)： 木下 茂
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000059856
Publication number (International publication number)：2001250785
Application date： Mar. 06, 2000
Publication date： Sep. 14, 2001
Summary：

【要約】【課題】 炭化ケイ素が被覆された熱処理用部材を可能な限り短時間に、かつ表面の再汚染を生ずることなく、数μm深さまでの炭化ケイ素被覆膜層を除去して該部材表面を洗浄、浄化する方法を提供することを目的とする。【解決手段】 炭化ケイ素が被覆された半導体熱処理用部材の不純物の除去を、所謂プラズマエッチングで該熱処理用部材表層部を不純物も含めて除去するものであり、例えば、CF4 等の有機フッ素化合物と酸素(O2 )から成る反応ガスの気流中で、高周波やマイクロ波による放電を生じせしめ、この放電により生成した、CF3 ・F・ラジカル等の活性フッ素含有化学種を、該部材表面の炭化ケイ素(SiC)被覆層に接触させ、両者を反応させることにより行う。

Claim (excerpt)：

半導体製造工程で使用される炭化ケイ素が被覆された半導体熱処理用部材の洗浄する方法において、前記方法の工程中に、放電により活性化したフッ素含有化学種を含む気流に前記炭化ケイ素が被覆された熱処理用部材を曝露しながら加熱処理し、該部材の被覆膜の表面層を除去する工程を含むことを特徴とする炭化ケイ素が被覆された半導体熱処理用部材の洗浄方法。

IPC (3)：

H01L 21/22 501 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/324

FI (3)：

H01L 21/22 501 K ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/324 Q

F-Term (2)：

5F045EB06 ,  5F045EC05