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J-GLOBAL ID:200903065922600864
半導体ナノ粒子の製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
長谷川 曉司
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001265277
Publication number (International publication number):2003073126
Application date: Sep. 03, 2001
Publication date: Mar. 12, 2003
Summary:
【要約】【課題】 高い結晶性と有機マトリクスへの分散性に優れた半導体ナノ粒子を、安価かつ化学的安定性に優れた塩類を原料として有利に得ることができる製造方法を提供する。【解決手段】 半導体ナノ結晶及び/又はその前駆体を含有するヒドロゾルを生成させる第1工程、及び該半導体ナノ結晶及び/又はその前駆体への結合性を有する脂溶性表面修飾分子を含有する有機相と該ヒドロゾルとを接触させて該半導体ナノ結晶及び/又はその前駆体を有機相へ抽出する第2工程を含む半導体ナノ粒子の製造方法。
Claim (excerpt):
半導体ナノ結晶及び/又はその前駆体を含有するヒドロゾルを生成させる第1工程、及び該半導体ナノ結晶及び/又はその前駆体への結合性を有する脂溶性表面修飾分子を含有する有機相と該ヒドロゾルとを接触させて該半導体ナノ結晶及び/又はその前駆体を有機相へ抽出する第2工程を含むことを特徴とする半導体ナノ粒子の製造方法。
IPC (3):
C01G 49/08
, B82B 3/00
, C01G 23/04
FI (3):
C01G 49/08 Z
, B82B 3/00
, C01G 23/04 B
F-Term (11):
4G002AA04
, 4G002AB02
, 4G002AB06
, 4G002AD04
, 4G002AE05
, 4G047CA02
, 4G047CB04
, 4G047CB05
, 4G047CC03
, 4G047CD04
, 4G047CD07
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