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J-GLOBAL ID：200903065926419994
高密度ITO焼結体及びその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
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Agent (1)：
中村 勝成 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992200251
Publication number (International publication number)：1994024826
Application date： Jul. 03, 1992
Publication date： Feb. 01, 1994
Summary：
【要約】【目的】 基板温度が200°C以下の低温であっても、比抵抗値が2.0×10-4Ω・cm以下の低抵抗な透明導電膜を形成でき、成膜中における異常放電が少なく、長時間に亙るスパッタリングを行った場合にも、安定に良質な透明導電膜を形成できる高密度ITO焼結体を提供する。【構成】 実質的にインジウム、錫及び酸素からなり、相対密度が90%以上のITO焼結体であって、酸化錫相の(110)面のX線回折ピークの積分強度が、酸化インジウム相の(222)面のX線回折ピークの積分強度の0.5%以下で、電子線マイクロアナライザーの線分析における錫含有量の分布が化学分析による錫含有量の0.8〜1.2倍の範囲にあることを特徴とする高密度ITO焼結体。
Claim (excerpt)：
実質的にインジウム、錫及び酸素からなり、相対密度が90%以上のITO焼結体であって、酸化錫相の(110)面のX線回折ピークの積分強度が、酸化インジウム相の(222)面のX線回折ピークの積分強度の0.5%以下で、電子線マイクロアナライザーの線分析における錫含有量の分布が化学分析による錫含有量の0.8〜1.2倍の範囲にあることを特徴とする高密度ITO焼結体。
IPC (3)：
C04B 35/00
, C23C 14/08
, H01B 5/14
