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J-GLOBAL ID：200903065930118087
ルチル単結晶の製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
茂見 穰
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993342928
Publication number (International publication number)：1995172993
Application date： Dec. 15, 1993
Publication date： Jul. 11, 1995
Summary：
【要約】【目的】 溶融帯部の状況をルチル単結晶にとって最適となるように、簡便に自動制御できるようにする。【構成】 回転楕円面鏡の一方の焦点位置に熱源となる赤外線ランプを配置し、素材棒16と種結晶18との間に形成される溶融帯部20を他方の焦点位置に配置する赤外線集中加熱法である。ここで、育成雰囲気中の酸素濃度を高精度酸素濃度計30で検出し、その値が安定育成時の酸素濃度の範囲内に収まるように赤外線ランプへの供給電力又は素材棒供給速度を制御する。結晶品質を向上するために低酸素雰囲気中で育成するが、結晶成長時、溶融帯部からは微量の酸素が放出されており、その量は溶融帯部の体積に比例している。本発明は、この点に着目し、酸素濃度によってルチル単結晶の育成制御を行うものである。
Claim (excerpt)：
回転楕円面鏡の一方の焦点位置に熱源となる赤外線ランプを配置し、素材棒と種結晶との間に形成される溶融帯部を他方の焦点位置に配置する赤外線集中加熱法によるルチル単結晶の製造方法において、単結晶育成雰囲気中の酸素濃度を検出し、その値が安定育成時の酸素濃度範囲内に収まるように赤外線ランプへの供給電力又は素材棒供給速度のいずれか一方もしくは両方を制御することを特徴とするルチル単結晶の製造方法。
IPC (2)：
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