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J-GLOBAL ID:200903065943933740

マスク検査装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 佐藤 正年 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1991308238
Publication number (International publication number):1993119468
Application date: Oct. 29, 1991
Publication date: May. 18, 1993
Summary:
【要約】【目的】 従来の装置では不可能であった位相シフトパターンの形状の欠陥や膜厚むら等を検出できるマスク検査装置を提供する。【構成】 落射照明系(ピンホール板P1 ,レンズL1 ,L2 )と透過照明系(ピンホール板P2 ,レンズL5 ,L6 )を備え、各照明光の波長は位相シフト部(基板1+位相シフトパターン3)からの反射光強度の高い波長λ1 と透過光強度の高い波長λ2 に設定される。少なくとも落射系は共焦点光学系として構成されており、Crパターン2上を含む位相シフトパターン3表面の欠陥(凹凸)が検出される。対物光学系に位相シフトパターン3の厚さに対応する軸上色収差をもたせ、透過系をガラス基板1表面に、落射系を位相シフトパターン3表面に合焦させても良い。
Claim (excerpt):
基板上に所定のパターンが形成されたフォトマスクを検査対象とするマスク検査装置において、前記フォトマスクのパターン形成面に落射照明光を集光させる照明手段と、前記パターン形成面からの反射光による集光箇所の像を結ぶ対物光学系と、該対物光学系のほぼ結像位置に配置されたピンホール板と、該ピンホール板を通過した前記反射光を検出する反射光検出手段とを備えたマスク検査装置。
IPC (4):
G03F 1/08 ,  G01B 11/30 ,  G01N 21/88 ,  H01L 21/027

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