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J-GLOBAL ID：200903065954455548

水素吸蔵積層構造体

Inventor： 藤井 博信 ,  折茂 慎一 ,  樋口 浩一 ,  問山 清和 ,  梶岡 秀 ,  本多 正英 ,  山本 研一 ,  高藤 勝 ,  住田 弘祐 ,  谷岡 真一
Applicant, Patent owner： 広島大学長 ,  広島県 ,  マツダ株式会社
Agent (1)： 前田 弘 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000298091
Publication number (International publication number)：2002105576
Application date： Sep. 29, 2000
Publication date： Apr. 10, 2002
Summary：

【要約】【課題】 高い水素吸蔵量を保持しながらも水素放出温度が低い水素吸蔵積層構造体を提供する。【解決手段】 水素吸蔵積層構造体1を、ナノ構造化されたMg又はMg系水素吸蔵合金から成る水素吸蔵層2と、その水素吸蔵層2を挟むようにその両表面に積層され、各々、水素ガスを原子状に解離させ得る触媒作用を発現し且つ解離した水素原子を内部拡散させて水素吸蔵層2と水素原子を授受する一対の水素授受層3,3とを備えたものとする。

Claim (excerpt)：

ナノ構造化されたMg又はMg系水素吸蔵合金から成る水素吸蔵層と、上記水素吸蔵層を挟むようにその両表面に積層され、各々、水素ガスを原子状に解離させ得る触媒作用を発現し且つ解離した水素原子を内部拡散させて該水素吸蔵層と水素原子の授受を行う一対の水素授受層と、を備えたことを特徴とする水素吸蔵積層構造体。

IPC (5)：

C22C 23/00 ,  B32B 15/01 ,  C01B 3/00 ,  C23C 14/14 ,  H01M 4/38

FI (5)：

C22C 23/00 ,  B32B 15/01 E ,  C01B 3/00 B ,  C23C 14/14 D ,  H01M 4/38 A

F-Term (40)：

4F100AB09A ,  4F100AB24B ,  4F100AB24C ,  4F100AB31A ,  4F100AR00B ,  4F100AR00C ,  4F100BA03 ,  4F100BA06 ,  4F100BA07 ,  4F100BA10B ,  4F100BA10C ,  4F100JA11A ,  4F100JD14A ,  4F100JD16 ,  4F100JD20B ,  4F100JD20C ,  4F100JL08B ,  4F100JL08C ,  4F100JM02A ,  4F100JN01 ,  4F100YY00A ,  4G040AA33 ,  4G040AA34 ,  4G040AA36 ,  4G040AA46 ,  4G140AA33 ,  4G140AA34 ,  4G140AA36 ,  4G140AA46 ,  4K029AA09 ,  4K029BA02 ,  4K029BA21 ,  4K029BB02 ,  4K029BB08 ,  4K029CA05 ,  4K029DC03 ,  4K029DC04 ,  4K029DC39 ,  4K029EA03 ,  5H050CB16

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平1-129960
  
• 特開平1-188401