Pat
J-GLOBAL ID：200903065957737900
パターン形成方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993219532
Publication number (International publication number)：1995074080
Application date： Sep. 03, 1993
Publication date： Mar. 17, 1995
Summary：
【要約】【構成】光を照明光学系2を介してマスク3に照射し、マスクパターンを投影レンズ4を介して基板5上へ投影露光する露光方法において、投影レンズ4の瞳面で光軸を中心とする輪帯状の領域とその他の領域を透過する光の位相をほぼ反転させるとともに、照明光学系2内の有効光源1において光軸近傍の強度をその外側の領域の強度より弱くするか、又は、マスク3上で寸法の大きなパターンに対してエッジ強調型位相シフトマスクを用いる。【効果】複数の微細パターンが互いに接近している場合や、様々な寸法の微細パターンが混在している場合にも、マスクパターンに忠実な転写パターンを、大きな焦点深度と優れた解像度をもって得ることができる。
Claim (excerpt)：
光源を発した光を照明光学系を介してマスクに照射し、上記マスク上のパターンを投影レンズを介して基板上へ投影露光する際、上記投影レンズのほぼ瞳面に、光軸を中心とする輪帯状の領域とその他の領域を透過する光の位相をほぼ反転させるフィルタを設け、上記照明光学系内の有効光源において、光軸近傍の強度をその外側の領域の強度より弱くすることを特徴とするパターン形成方法。
IPC (2)：
H01L 21/027
, G03F 7/20 521
