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J-GLOBAL ID：200903065972150673

真空処理装置および半導体ウェハーの処理方法

Inventor： 加藤 浩之
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994327890
Publication number (International publication number)：1996186077
Application date： Dec. 28, 1994
Publication date： Jul. 16, 1996
Summary：

【要約】【目的】半導体ウェハーの全表面箇所において所定の真空処理を行うことができ、真空処理において半導体ウェハーが不所望に飛ばされることなく、かつ真空処理完了後の半導体ウェハーをスムースにまた安全に搬送することが可能な真空処理装置および半導体ウェハーの処理方法を提供する。【構成】半導体ウェハー10の裏面16に加熱もしくは冷却されたガス27を吹き付けて半導体ウェハー10を加熱もしくは冷却し、減圧状態の半導体ウェハー10の表面15に所定の処理を行う真空処理装置および半導体ウェハーの処理方法において、リング状板材12の上面の内周側を半導体ウェハー10の裏面16の周辺に固着し、半導体ウェハー10よりも外側に位置するリング状板材12の上面の外周側をリングチャック22でガス27を吹き付ける孔24が設けられたホルダー23上に押し付けて固定する。

Claim (excerpt)：

半導体ウェハーの裏面に加熱もしくは冷却されたガスを吹き付けて前記半導体ウェハーを加熱もしくは冷却し、減圧状態の前記半導体ウェハーの表面に所定の処理を行う真空処理装置において、リング状板材の上面の内周側を前記半導体ウェハーの裏面の周辺に固着し、前記半導体ウェハーより外側に位置する前記リング状板材の上面の外周側をリングチャックで前記ガスを吹き付ける孔が設けられたホルダー上に押し付けて固定するようにすることを特徴とする真空処理装置。

IPC (5)：

H01L 21/205 ,  C23C 14/34 ,  C23C 16/44 ,  C23C 16/46 ,  C23F 4/00