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J-GLOBAL ID：200903065975667340

プラズマ処理装置

Inventor： 渡部 隆 ,  園部 正 ,  大塚 道夫 ,  佐藤 淳二 ,  吉岡 健 ,  福田 琢也
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 武 顕次郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995044395
Publication number (International publication number)：1996241797
Application date： Mar. 03, 1995
Publication date： Sep. 17, 1996
Summary：

【要約】【目的】 被処理基板に高周波バイアス電圧を均一に印加して処理の均一性の向上を図る。【構成】 マイクロ波導入窓部にマイクロ波が透過可能なスリット電極14と該スリット電極14のプラズマ側に複数の貫通穴15aを有する誘電体板15を併設した。高周波バイアス電圧は、基板ホルダ9からプラズマを介して磁力線に沿った方法にスリット電極14に印加されるために高周波バイアス電圧が均一化され、処理の均一性が向上する。

Claim (excerpt)：

マイクロ波入射窓から処理室内に導入したマイクロ波により発生する電場と磁場とによって起こる電子サイクロトロン共鳴現象を利用して該処理室内の処理ガスをプラズマ化し、このプラズマを処理部材ホルダに載置した被処理部材に照射し、且つ前記被処理部材ホルダに高周波バイアス電圧を印加してプラズマ中のイオンエネルギを制御するプラズマ処理装置において、前記被処理部材ホルダを通過する磁力線が横切る位置にある前記マイクロ波入射窓のプラズマ側に、マイクロ波が透過可能なスリット状の電極と、このスリット電極のプラズマ側に複数の貫通孔を有する誘電体板を設けたことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (5)：

H05H 1/46 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065

FI (5)：

H05H 1/46 C ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 D ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 B