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J-GLOBAL ID：200903065976908058

LSI素子製造方法、及び装置

Inventor： 安西 曉 ,  大野 康一
Applicant, Patent owner： 株式会社ニコン
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993273329
Publication number (International publication number)：1994208056
Application date： Oct. 05, 1983
Publication date： Jul. 26, 1994
Summary：

【要約】【目的】 超LSI素子の製造時のパターン露光の際、高いマッチング精度を保つようにする。【構成】 超LSI製造用の露光装置投影光学系が持つ光学諸性能のうち、少なくとも収差を任意に調整可能とし、一定の収差特性のもとでLSIパターンの露光を行う。

Claim (excerpt)：

均一化された照明光によりレチクル上のLSIパターンを照明し、該LSIパターンを投影光学系により感光基板上に結像投影する段階を有するLSI素子の製造方法において、前記投影光学系の光学諸性能のうち特定の収差を調整可能とし、所定の収差を得ることを特徴とするLSI素子製造方法。

IPC (2)：

G02B 13/24 ,  H01L 21/30

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭60-078416
  
• 特開昭60-078416