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J-GLOBAL ID：200903065981962990

半導体発光素子

Inventor： 関 洋二 ,  小田 修
Applicant, Patent owner： 株式会社ジャパンエナジー
Agent (1)： 並川 啓志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994305668
Publication number (International publication number)：1996148719
Application date： Nov. 16, 1994
Publication date： Jun. 07, 1996
Summary：

【要約】 (修正有)【構成】第1の導電型のII-VI族化合物半導体単結晶基板の上に、第2の導電型を示し、かつ第1の導電型のII-VI族化合物半導体のバンドギャップより大きいバンドギャップを有する酸化物半導体の膜が成長されpn接合が形成されている半導体発光素子。【効果】これまで実用化されていないII-VI族化合物半導体を用いた短波長の半導体発光素子を安価な方法で製造できる。

Claim (excerpt)：

第1の導電型のII-VI族化合物半導体単結晶基板の上に、第2の導電型を示し、かつ該第1の導電型のII-VI族化合物半導体のバンドギャップより大きいバンドギャップを有する酸化物半導体の膜が成長され、pn接合が形成されていることを特徴とする半導体発光素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特公昭50-034916
  
• 特公昭50-034916