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J-GLOBAL ID：200903065986260218
光電子集積回路
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993115008
Publication number (International publication number)：1994326343
Application date： May. 17, 1993
Publication date： Nov. 25, 1994
Summary：
【要約】【目的】 ノイズ電流を抑制した高感度な光受信用の光電子集積回路を提供する。【構成】 基板300上に形成された、受光素子とヘテロ接合型バイポーラトランジスタ群とを含んで構成される。受光素子の光吸収層120を形成する半導体物質は、そのバンドギャップ値がヘテロ接合型バイポーラトランジスタのベース層213を形成する半導体物質のバンドギャップ値よりも大きくなるように選択される。この結果、ヘテロ接合型バイポーラトランジスタの動作時にベース電流によるベース層内での発光性再結合に起因して発生する光が光吸収層120に照射しても、光吸収層120で光キャリアは発生せず、ノイズ電流が抑制される。
Claim (excerpt)：
半絶縁性の基板上に、第1の半導体物質から成る光吸収部を有する受光素子と、前記第1の半導体物質のバンドギャップ幅よりも小さいバンドギャップ幅を有する第2の半導体物質からなるベース部を挟んで相対する領域にエミッタ部とコレクタ部とを形成して構成されるヘテロ接合型バイポーラトランジスタと、をモノリシックに含んで構成されることを特徴とする光電子集積回路。
IPC (4)：
H01L 31/10
, H01L 27/14
, H01L 21/331
, H01L 29/73
H01L 31/10 A
, H01L 27/14 Z
, H01L 29/72
Cited by examiner (5)
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