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J-GLOBAL ID：200903065987203030

不揮発性半導体記憶装置

Inventor： 澤田 喜久三 ,  和田 俊男
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社
Agent (1)： 半田 昌男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993239135
Publication number (International publication number)：1994195987
Application date： Aug. 31, 1993
Publication date： Jul. 15, 1994
Summary：

【要約】【目的】 1つのメモリセルに対して4値以上のデータを効率良く読み書きすることができる半導体記憶装置を提供する。【構成】 複数のメモリセルを備える不揮発性半導体記憶装置において、前記メモリセル243〜274は少なくとも4値のしきい値を持ち、しかも、少なくとも4つの互いに異なるプログラム電圧値のうち入力データに対応する1つのプログラム電圧値を用いて前記メモリセルに前記4値のうちの1つのしきい値を記憶させることによりデータを書き込むプログラム回路120と、前記メモリセルが記憶するしきい値を対応する入力データに変換して読み出すセンス回路123とを有する。さらにプログラム回路120は、複数の信号線からなるデータバスに接続され、データバスから選択された少なくとも2本以上の信号線によって供給される信号の組み合わせに応じてメモリセルへの書き込みデータを決定する。

Claim (excerpt)：

電気的に書き換えが可能な不揮発性半導体記憶装置であって、複数の行線および列線と、これらの行線および列線にマトリクス状に接続された複数のメモリセルと、これらの複数のメモリセルから所望のメモリセルを選択する選択手段と、外部からのデータ信号に応じて少なくとも4種類の異なるしきい値から選択された1つのしきい値に対応するデータを選択されたメモリセルに書き込む書き込み制御手段と、前記メモリセルから読み出されたデータを前記しきい値に応じたデータに変換して出力する読み出し制御手段と、を具備することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開平2-040198
  
• 特開昭63-302497
  
• 特開平2-260298
  
• 特開平3-237692
  
• 特開昭62-140298