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J-GLOBAL ID：200903066015830073

マイクロプラズマCVD装置

Inventor：
佐々木 毅

About 佐々木 毅

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清水 禎樹

About 清水 禎樹

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越崎 直人

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寺嶋 和夫

About 寺嶋 和夫


Applicant, Patent owner：
独立行政法人産業技術総合研究所

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Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002137956
Publication number (International publication number)：2003328138
Application date： May. 14, 2002
Publication date： Nov. 19, 2003
Summary：
【要約】【課題】本発明の課題は、簡単な工程で各種基板材料の表面にグラファイトやグラッシーカーボン等のカーボン系物質に代表される無機系物質を減圧下乃至加圧下において基板を格別に過熱することなくマイクロメートル・オーダーの領域にマスク等を用いずに直接に堆積させることである。【解決手段】 本発明のマイクロプラズマCVD装置は、円筒状の絶縁材料性プラズマトーチ、プラズマガス供給系、プラズマ発生用高周波電源、マッチングボックス、プラズマ点灯用イグナイター、雰囲気ガス吹き付けノズル及び堆積基板の位置を制御する3軸マニピュレーターからなり、カーボンナノチューブ系の材料を基板上に堆積させるためには、アルゴン等の不活性ガスに代表されるプラズマガス中にメタン等の炭化水素ガスを混合しプラズマノズルに供給すればよく、この工程は、大気圧、減圧条件下乃至高圧条件下においても可能である。
Claim (excerpt)：
マイクロプラズマCVD装置であって、該装置は、反応容器内に、先端に基板が取り付けられた基板支持台、円筒状の絶縁材料性プラズマトーチ、プラズマガス供給系、該プラズマガスを励起する高周波コイル、該コイルに高周波電力を供給するプラズマ発生用高周波電源、該基板の位置を制御する制御装置から成ることを特徴とするマイクロプラズマCVD装置。
IPC (3)：
C23C 16/505 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/30
FI (3)：
C23C 16/505 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/30
F-Term (22)：
4K030AA09 ,  4K030AA16 ,  4K030BA27 ,  4K030CA12 ,  4K030CA17 ,  4K030FA03 ,  4K030FA10 ,  4K030FA14 ,  4K030KA05 ,  4K030KA17 ,  4K030KA18 ,  4K030KA46 ,  5F045AA09 ,  5F045AB07 ,  5F045AC07 ,  5F045AC16 ,  5F045AE25 ,  5F045DA51 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EH01 ,  5F045EM10
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (2)

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