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J-GLOBAL ID：200903066019771624
太陽電池及びその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992361560
Publication number (International publication number)：1994061515
Application date： Dec. 28, 1992
Publication date： Mar. 04, 1994
Summary：
【要約】【目的】 簡単な手段で効率のよい太陽電池を製造することを目的とする。【構成】 隆起領域(24,26,28)を有する少なくとも1つの半導体基板を具備し、この基板上にキャリアを伝達するための導電性コンタクト(20)が設けられ、かつこの基板は、少なくとも導電性コンタクトの間においてパッシベ-ション材料で覆われていることを特徴とする太陽電池。
Claim (excerpt)：
入射する放射線エネルギ-により荷電キャリアが発生する半導体基板(12,110,126,146,160,212,238)と、荷電キャリアを導く導電性コンタクト(20,40,42,44,100,102,114,120,156,164,218,230,254)とを具備する太陽電池の製造方法において、半導体基板の少なくとも一方の面に隆起領域(24,26,28,116,118,136,138,148,150,168,220,222,224,240,242,274)を設ける工程、前記隆起領域を形成した後に、前記半導体基板を完全に又はほぼ完全にパッシベ-ション層(16,98,134,158,162,246,260)で覆う工程、前記隆起領域上に存在するパッシベ-ション材料の少なくとも一部を除去する工程、及び前記導電性コンタクトを形成する材料を、少なくとも露出した前記隆起領域上及び隆起領域から延びる側面上のパッシベ-ション材料上に間接的又は直接的に配置する工程を具備し、前記隆起領域(24,26,28,116,118,136,138,148,150,168,220,222,224,240,242,274)は、前記半導体材料の機械的除去又はエッチング除去によりマスクすることなく形成され、少なくとも前記パッシベ-ション材料は、プラト-領域(35,37,39,140)が形成され、その自由上面から側面(34,36,38)が延び、そこで半導体材料が露出するように、前記隆起領域から除去されることを特徴とする太陽電池(10,46,58,80,82,94,108,124,144,210,236,258)の製造方法。
FI (2)：
H01L 31/04 M
, H01L 31/04 H
Cited by examiner (6)
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