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J-GLOBAL ID：200903066022837768

レーザ溶接方法およびレーザ溶接装置

Inventor： 中山 伸一 ,  長嶋 崇弘
Applicant, Patent owner： ミヤチテクノス株式会社
Agent (6)： 中尾 俊輔 ,  伊藤 高英 ,  大倉 奈緒子 ,  玉利 房枝 ,  鈴木 健之 ,  磯田 志郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003075004
Publication number (International publication number)：2004276108
Application date： Mar. 19, 2003
Publication date： Oct. 07, 2004
Summary：

【課題】溶接ナゲット径が100μm以下であり、溶け込み深さが200μm以上の微細領域の溶接を可能とし、装置の小型化も図ることのできるレーザ溶接方法およびレーザ溶接装置を提供すること。【解決手段】レーザ光発生手段1から出力されたレーザ光を入射光学ユニット9を介して光ファイバ10に入光させ、当該光ファイバ10から出光したレーザ光を出射光学ユニット11を介して溶接箇所に照射するレーザ溶接方法において、前記光ファイバ10のコア直径を100μm以内とし、前記光ファイバ10の入射NA値を0.05以下とし、前記光ファイバ10の出射NA値を0.1以下とし、前記出射光学ユニット11から照射される1パルスのレーザ光のエネルギを1ジュール(J)以下としたことを特徴とする。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

レーザ光発生手段から出力されたレーザ光を入射光学ユニットを介して光ファイバに入光させ、当該光ファイバから出光したレーザ光を出射光学ユニットを介して溶接箇所に照射するレーザ溶接方法において、前記光ファイバのコア直径を100μm以内とし、前記光ファイバの入射NA値を0.05以下とし、前記光ファイバの出射NA値を0.1以下とし、前記出射光学ユニットから照射される1パルスのレーザ光のエネルギを1ジュール(J)以下としたことを特徴とするレーザ溶接方法。

IPC (4)：

B23K26/08 ,  B23K26/00 ,  B23K26/06 ,  G02B6/02

FI (4)：

B23K26/08 K ,  B23K26/00 N ,  B23K26/06 Z ,  G02B6/02 B

F-Term (6)：

2H050AC71 ,  2H050AD11 ,  4E068CA02 ,  4E068CD13 ,  4E068CD15 ,  4E068CE08