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J-GLOBAL ID：200903066024074885
シリコン窒化膜の形成方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高月 亨
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995289850
Publication number (International publication number)：1997134919
Application date： Nov. 08, 1995
Publication date： May. 20, 1997
Summary：
【要約】【課題】 安定に再現性良くシリコン窒化膜を形成でき、その薄膜制御も容易であるシリコン窒化膜の形成方法を提供する。【解決手段】 シリコン酸化膜上にシリコン窒化膜を堆積して形成するシリコン窒化膜の形成方法において、第1の条件でシリコン窒化膜を初期成膜する工程Iと、続いてシリコン窒化膜を第1の条件とは異なる第2の条件にて成膜する工程IIとの2段階の成膜工程をとる。
Claim (excerpt)：
シリコン酸化膜上にシリコン窒化膜を堆積して形成するシリコン窒化膜の形成方法において、第1の条件でシリコン窒化膜を初期成膜する工程と、続いてシリコン窒化膜を第1の条件とは異なる第2の条件にて成膜する工程との2段階の成膜工程をとることを特徴とするシリコン窒化膜の形成方法。
FI (2)：
H01L 21/318 B
, H01L 21/318 M
