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J-GLOBAL ID：200903066027437849

半導体、混晶半導体、半導体組成物、ルミネッセンス材料及びそれらの製造方法、エネルギー変換装置、界面化学光反応の利用方法または自発光の利用方法

Inventor： 河西 嘉彦 ,  藤森 裕司
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 上柳 雅誉 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000138770
Publication number (International publication number)：2001320072
Application date： May. 11, 2000
Publication date： Nov. 16, 2001
Summary：

【要約】【課題】 従来の半導体は平面構造をしており太陽電池を想定した場合は光の利用率が低く、またその利用波長領域も限られていた。【解決手段】 半導体、混晶半導体、半導体組成物において微粒子を燒結し著しく表面積を向上すると同時に可視光領域にまで感度を持たせ、発電効率や界面機能性を格段に向上した事を特徴とする。

Claim (excerpt)：

半導体、混晶半導体、前記混晶半導体とルミネッセンス材料の混合物(以下「半導体組成物」という)またはルミネッセンス材料を、それらの微粒子を焼結する工程を経て形成したことを特徴とする半導体、混晶半導体、半導体組成物、ルミネッセンス材料。

IPC (2)：

H01L 31/04 ,  H01M 14/00

FI (2)：

H01M 14/00 P ,  H01L 31/04 E

F-Term (14)：

5F051AA07 ,  5F051AA08 ,  5F051DA05 ,  5F051FA03 ,  5F051FA04 ,  5F051FA06 ,  5F051GA02 ,  5F051GA03 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032EE15 ,  5H032EE16 ,  5H032HH01 ,  5H032HH04