液晶表示用TFTアレイ基板の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：宮井暎夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993275301
Publication number (International publication number)：1995131023
Application date： Nov. 04, 1993
Publication date： May. 19, 1995
Summary：

【要約】【目的】生産性の向上を図る。【構成】 (a)透明絶縁基板1上にゲート電極2を成膜しパターニングする。(b)ゲート絶縁体層3、半導体層4、不純物半導体層(n+ :a-Si)5を連続して成膜する。(c)トランジスタのチャネル部分に半導体層4および不純物半導体層5をパターニングして残す。(d)透明絶縁基板1を陽極側に設置して酸素プラズマを発生させ不純物半導体層5をプラズマ陽極酸化する。これによりチャネル上の不純物半導体層5を絶縁体化層6として、チャネルの分離を行う。(e)ITOを成膜し、画素電極7を形成した後ソース・ドレイン電極8を成膜しパターニングする。【効果】容易にソース・ドレイン間の不純物半導体層の分離が可能になり、さらに、半導体層と不純物半導体層とを従来のように厚く成膜する必要がないため、生産性を大いに向上させることができる。

Claim (excerpt)：

半導体層とこの半導体層の上面に積層した不純物半導体層との積層膜に対し、酸素プラズマによる陽極酸化を選択的に行い、少なくとも前記不純物半導体層を絶縁体化し、前記半導体層を残すことを特徴とする液晶表示用TFTアレイ基板の製造方法。

IPC (4)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , G02F 1/136 500 , H01L 21/316

FI (2)：

H01L 29/78 311 P , H01L 29/78 311 N

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平4-218926
特開昭64-082673
特開昭62-037966

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