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J-GLOBAL ID：200903066053419794

AlGaInP系半導体発光装置の製造方法

Inventor： 菅 康夫 ,  高橋 向星 ,  細田 昌宏 ,  角田 篤勇 ,  谷 健太郎
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991338804
Publication number (International publication number)：1993175609
Application date： Dec. 20, 1991
Publication date： Jul. 13, 1993
Summary：

【要約】【目的】 エッチング時に形成される酸化膜層を除去し、清浄な結晶面を露出させて再成長を行い、高品質な結晶の再成長を行って、装置の信頼性を向上する。【構成】 AlGaInP系半導体多層膜を大気中でエッチングし、表面に露出したAlGaInP層上に500°C以下の低温でプラズマ40が照射され、導波路作製のためのエッチング表面に形成された酸化膜層が除去され、清浄な結晶面26が露出される。この清浄な結晶面26に再成長を行うことにより高品質な結晶の再成長が行われ、界面の品質は向上し、レーザ装置の信頼性が向上される。更に、AlGaInP系半導体多層膜をメサ状に加工する工程を包含する。

Claim (excerpt)：

AlGaInP系半導体多層膜を大気中でエッチングするエッチング工程と、表面に露出したAlGaInP層上に500°C以下の低温でプラズマを照射し酸化膜を除去して再び結晶層を成長させる再結晶工程と、を包含するAlGaInP系半導体発光装置の製造方法。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/302