Pat

J-GLOBAL ID：200903066056278679

薄膜デバイス、薄膜磁気ヘッドおよび磁気抵抗効果素子並びにそれらの製造方法

Inventor： 井上 亨 ,  照沼 幸一
Applicant, Patent owner： ティーディーケイ株式会社
Agent (1)： 藤島 洋一郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998286178
Publication number (International publication number)：2000113428
Application date： Oct. 08, 1998
Publication date： Apr. 21, 2000
Summary：

【要約】【課題】 第1のシールドギャップ膜12および第2のシールドギャップ膜14の膜厚を薄くしても、高い絶縁性を得ることができるようにする。【解決手段】 第1のシールドギャップ膜12および第2のシールドギャップ膜14は、酸化アルミニウムよりなる高絶縁性膜を有する。この高絶縁性膜は加熱により絶縁性が向上されたものであり、成膜ののち加熱されたものでもよく、加熱しながら成膜したものでもよい。この加熱処理により、高絶縁性膜のピンホール密度は低くなり、絶縁破壊電界が大きくなっている。よって、シールドギャップ長を短くしても絶縁性を確保することができ、記録媒体の高記録密度化に対応することができる。なお、高絶縁性膜は、成膜ののち、その表面を酸素プラズマ含有雰囲気中または酸素イオン含有雰囲気中に曝すことにより絶縁性を向上させたものでもよい。

Claim (excerpt)：

絶縁膜を備えた薄膜デバイスであって、前記絶縁膜は、酸化アルミニウムを含むと共に、加熱により絶縁性が向上された高絶縁性膜を有することを特徴とする薄膜デバイス。

IPC (4)：

G11B 5/39 ,  H01L 21/316 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/12

FI (4)：

G11B 5/39 ,  H01L 21/316 X ,  H01L 43/08 H ,  H01L 43/12

F-Term (19)：

5D034BA03 ,  5D034BA15 ,  5D034BB01 ,  5D034BB08 ,  5D034DA07 ,  5F058BA01 ,  5F058BB06 ,  5F058BB10 ,  5F058BD01 ,  5F058BD05 ,  5F058BD10 ,  5F058BD12 ,  5F058BD18 ,  5F058BF54 ,  5F058BF62 ,  5F058BF64 ,  5F058BH03 ,  5F058BH04 ,  5F058BJ10